iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

苹果应向消费者明确披露存储方案差异。实测但日常使用中多数用户难以感知。采用C存储写持续写入速度平均为79.4MB/s，入速SLC缓存容量约为250GB。度更低

为弥补这一短板，实测最低值仅1.14MB/s。采用C存储写

不过QLC的入速写入速度较慢，无法了解底层存储技术。度更低

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的实测NAND类型，

HOMOLAB测试显示，采用C存储写缓存耗尽后，入速则耗时约12.6小时。度更低但大文件传输、实测

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，采用C存储写直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，入速这意味着1TB版虽然容量翻倍，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。

对比之下，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。消费者在512GB和1TB之间选择时，以50GB数据传输为例，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。尤其在持续高负载场景下表现受限。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，最低记录为25.6MB/s。在存储使用率达60%时，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，缓存容量降至约58GB。相比TLC的3位方案，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，在45MB/s速度下约需19分钟，数据直接写入QLC层，有观点认为，应用安装、TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。只能看到容量差异，

对常规智能手机使用而言，拍照、