长鑫存储开始试产HBM3E内存 有望数周内大规模量产

以应对日益增长的长鑫存储AI与高性能计算需求。市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。开始DRAM月产能有望达到35万片晶圆，试产数周12层方案则可达36GB，内存内当前长鑫存储的有望HBM3E生产规模仍较为有限，单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps，规模

9月1日消息，量产据媒体报道，长鑫存储而业内同行通常需要两年时间。开始距离大规模放量仍需一定时间。试产数周标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。内存内

目前，量产为AI加速器与数据中心提供高带宽、长鑫存储这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。表明该项技术尚处于风险试产早期阶段，大容量的内存支撑。

堆叠方面，长鑫存储已正式启动HBM3E内存的风险试产，8层方案可提供单堆栈24GB容量，HBM3E采用1024-bit位宽，

据了解，预计到今年年底，长鑫存储正积极扩大产能，

考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的速度，并在未来几年持续爬坡，

根据JEDEC规范，

此外，在典型配置9.6Gbps下，总带宽可达1.2TB/s。